我的研究方向著重於探討物質表面及介面( interface)的各種現象，特別是半導體表面和長晶面原子的結構以及原子的動態。目前研究的重點可以分為以下兩個計劃：

一、應力(stress)對介面、長晶面原子結構影響的研究：由於 長晶原子的自然晶格常數與底層（substrate）晶格常數有 著差異時，長晶層的某些 物性與同質生成晶體的物性會有著明顯的不同。這些不同可用底層給予長晶層一個 應力的觀念作粗略的定性說明，藉著一個外加可變的應力，我可以定量的研究鍺(Ge)原子在矽( Si )原子表面長晶的過程與應力間的關係；並可精確的測出介面應力，從而由理論推導決定 Ge/Si介面的原子組態。

二、毫微米及低維度材料的 製作與物性研究：某些金屬在 矽表面長晶時，矽表面的某些區域在與金屬形成化合物後,這些區域就不會再與其它原子作用(passivation)；而未與金屬作用的區域可以 選擇性的長上需要的物質。利用這種 特殊性質，我們可以長出毫微米尺寸、低維度的材料 ; 同時配合STM，即可進一步的分析長出材料的結構與物性。