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門福國教授

 

門福國 (Fu-Kwo Men)
教授
美國威斯康辛大學麥迪遜校區物理博士(1990)
研究領域:實驗凝態物理、表面物理
研究室:物理館Room314
電話(office)05-2720411 66307 
傳真:05-2720587

E-mail:phymen@ccu.edu.tw

FKMen


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經歷

國立中正大學物理系兼任教授  ( 2022.1 )

國立中正大學物理系教授  ( 2002.8~2022.1 )
國立中正大學物理系副教授  ( 19952002.8 )
University of Texa at Austin. Postdoctoral Research Associate  ( 1991
1995 )

 

研究
       
我的研究方向著重於探討物質表面及介面( interface)的各種現象,特別是半導體表面和長晶面原子的結構以及原子的動態。目前研究的重點可以分為以下兩個計劃:


一、應力(stress)對介面、長晶面原子結構影響的研究:由於 長晶原子的自然晶格常數與底層(substrate)晶格常數有 著差異時,長晶層的某些 物性與同質生成晶體的物性會有著明顯的不同。這些不同可用底層給予長晶層一個 應力的觀念作粗略的定性說明,藉著一個外加可變的應力,我可以定量的研究鍺(Ge)原子在矽( Si )原子表面長晶的過程與應力間的關係;並可精確的測出介面應力,從而由理論推導決定 Ge/Si介面的原子組態。
 

二、毫微米及低維度材料的 製作與物性研究:某些金屬在 矽表面長晶時,矽表面的某些區域在與金屬形成化合物後,這些區域就不會再與其它原子作用(passivation);而未與金屬作用的區域可以 選擇性的長上需要的物質。利用這種 特殊性質,我們可以長出毫微米尺寸、低維度的材料 ; 同時配合STM,即可進一步的分析長出材料的結構與物性。

 

教學:

 113 學年度第 1 學期

 1. 普通物理實驗(一) Experiments on General Physics (I) [01班]
 

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